東芝デバイス&ストレージ株式会社
<新製品ニュース>

産業用電力機器の高効率化に貢献する当社第3世代SiC ショットキーバリアダイオードに1200V耐圧品を追加

東芝デバイス&ストレージ株式会社

2024年9月25日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

これは、産業用電力機器の高効率化に貢献する当社第3世代SiC ショットキーバリアダイオードに1200V耐圧品を追加の画像です。当社は、太陽光インバーターやEV充電スタンド、スイッチング電源などの産業用機器に向けた、当社第3世代シリコンカーバイド (SiC) ショットキーバリアダイオード (SBD) に、1200V耐圧品「TRSxxx120Hxシリーズ」を追加しました。TO-247-2Lパッケージの5製品とTO-247パッケージの5製品、計10製品の出荷を本日から開始します。

新シリーズは、第3世代650V SiC SBDの改良型ジャンクションバリアショットキー (JBS) 構造[注1]を採用した1200V耐圧展開品です。新規ショットキーメタル[注2]を採用することで、業界トップクラス[注3]の低い順方向電圧1.27V (typ.)、低い総電荷量、そして低い逆電流を実現しました。これにより、より大容量の機器の電力損失を大幅に低減します。

当社は今後もSiCパワーデバイスのラインアップ拡充を行い、産業用電力機器の高効率化 (電力損失低減) に貢献します。

[注1] 改良型JBS構造:ショットキー界面の電界が下がり、リーク電流を低減できるJBS構造に、高電流における順方向電圧を低減できるMPS (Merged PiN Schottky) 構造を取り込んだ構造。
[注2] ショットキーメタル:ショットキーバリアダイオードで、半導体と接合される金属のこと。
[注3] 1200V耐圧SiC SBDにおいて。2024年9月現在、当社調べ。


応用機器

  • 太陽光発電用インバーター
  • EV充電スタンド
  • 産業用スイッチング電源、UPS


新製品の主な特長

  • 第3世代 SiC SBD 1200V耐圧展開製品
  • 業界トップクラス[注3]の低い順方向電圧:
    VF=1.27V (typ.) (IF=IF(DC))
  • 低い総電荷量:
    TRS20H120Hの場合 QC=109nC (typ.) (VR=800V, f=1MHz)
  • 低い逆電流:
    TRS20H120Hの場合 IR=2.0μA (typ.) (VR=1200V)


新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番 パッケージ 絶対最大定格  電気的特性
繰り返し
ピーク
逆電圧
VRRM
(V)
直流
順電流
IF(DC)
(A)
非繰り返し
ピーク順電流
IFSM
(A)
順電圧
(パルス
測定)
VF
(V)
逆電流
(パルス
測定)
IR
(μA)
総電
荷量
QC
(nC)
  温度
条件
Tc
(°C)
f=50Hz
(正弦半波、
t=10ms)、
Tc=25°C
IF=IF(DC) VR=1200V VR=800V、
f=1MHz
Typ. Typ. Typ.
TRS10H120H TO-247-2L 1200 10 160 80 1.27 1.0 61
TRS15H120H 15 157 110 1.4 89
TRS20H120H 20 155 140 2.0 109
TRS30H120H 30 150 210 2.8 162
TRS40H120H 40 147 270 3.6 220
TRS10N120HB TO-247 5 (Per leg)
10 (Both legs)
160 40 (Per leg)
80 (Both legs)
1.27
(Per leg)
0.5
(Per leg)
30
(Per leg)
TRS15N120HB 7.5 (Per leg)
15 (Both legs)
157 55 (Per leg)
110 (Both legs)
0.7
(Per leg)
43
(Per leg)
TRS20N120HB 10 (Per leg)
20 (Both legs)
155 70 (Per leg)
140 (Both legs)
1.0
(Per leg)
57
(Per leg)
TRS30N120HB 15 (Per leg)
30 (Both legs)
150 105 (Per leg)
210 (Both legs)
1.4
(Per leg)
80
(Per leg)
TRS40N120HB 20 (Per leg)
40 (Both legs)
147 135 (Per leg)
270 (Both legs)
1.8
(Per leg)
108
(Per leg)


新製品の詳細については下記ページをご覧ください。

TRS10H120H
TRS15H120H
TRS20H120H
TRS30H120H
TRS40H120H
TRS10N120HB
TRS15N120HB
TRS20N120HB
TRS30N120HB
TRS40N120HB


当社のSiCショットキーバリアダイオードの詳細については、下記ページをご覧ください。

SiCショットキーバリアダイオード

第3世代SiCショットキーバリアダイオード (SBD) (技術記事)


当社のSiCパワーデバイスの詳細についてはては、下記ページをご覧ください。

SiCパワーデバイス


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製品に関するお問い合わせ:

  TEL:052-332-2500

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https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/news/news-topics/2024/09/sic-power-devices-20240925-1.html