東芝デバイス＆ストレージ　小型MOSFET

東芝デバイス＆ストレージは、ウエアラブル端末やIoT機器向けに、省エネルギーとバッテリー持続性を向上させる小型MOSFETを製品化しました。新製品は、従来品よりも大幅に低いドレインしゃ断電流とゲート漏れ電流を実現し、バッテリー駆動のポータブルデバイスに最適です。30Vおよび20V耐圧のNチャネルMOSFETと、－20V耐圧のPチャネルMOSFETの計6シリーズ29品種を提供し、幅広いニーズに対応します。（ミタチ産業要約）

製品情報 2024-10

機器の低消費電力化とバッテリーの長時間駆動に貢献する小型MOSFET

当社は、ウエアラブル端末やタブレットデバイスなどの携帯機器およびIoT機器向けに、低ゲート漏れ電流や低ドレインしゃ断電流を特長とした小型MOSFETを製品化しました。

新製品は、ドレインしゃ断電流を当社従来MOSFET製品の1μA (max)^[注1]から60nA (max)^[注2]に大きく削減し、ゲート漏れ電流はMOSFETがオン状態となるゲート電圧条件下で50nA (max) (V_GS=5V時)^[注2]を保証しました。これらの特性は、半導体デバイスの高密度設計により増大するトータルエネルギーを最小限に抑えたいアプリケーションや、バッテリー駆動のポータブルデバイスに適しており、機器の省エネルギーとバッテリー持続性に大きく貢献します。

30V耐圧および20V耐圧のNチャネルMOSFETで4シリーズ、－20V耐圧のPチャネルMOSFETで2シリーズの計6シリーズ中29品種を製品化しました。さまざまな小型面実装パッケージを揃え、お客様の幅広いニーズに応えます。