ローム株式会社
＜新製品ニュース＞
自動車のドア、シート等の各種モーターやLEDヘッドライトなどに最適！ 実装信頼性の高い車載向けNch MOSFETの10機種3パッケージを開発 車載信頼性規格のAEC-Q101に準拠。車載アプリケーションの高効率動作と小型化に貢献
ローム株式会社
2024年7月31日
＜要旨＞
ローム株式会社（本社：京都市）は、低オン抵抗*1を特長とする車載用Nch MOSFET*2「RF9x120BKFRA」「RQ3xxx0BxFRA」「RD3x0xxBKHRB」を開発しました。自動車のドアロックやシートポジション等に使用される各種モーター及びLEDヘッドライト等に最適です。3種類のパッケージの10機種から販売を開始し、今後さらにラインアップを拡充していきます。
新製品は耐圧が40V、60V、100Vで、いずれもスプリットゲート構造*3を採用することで、車載アプリケーションの高効率動作に寄与する低オン抵抗を実現しています。全機種とも車載信頼性規格AEC-Q101に準拠しており、高い信頼性も確保しています。
パッケージは用途別に3種類を取り揃えています。先進運転支援システム（ADAS）など実装領域の小さいアプリケーション向けには、小型パッケージのDFN2020Y7LSAA（2.0mm×2.0mm）やHSMT8AG（3.3mm×3.3mm）が最適です。また、車載アプリケーションの電源などで幅広く使われている、TO-252（DPAK）パッケージ（6.6mm×10.0mm）も用意しています。DFN2020Y7LSAAパッケージの端子にはウェッタブルフランク形成技術*4、TO-252パッケージの端子にはガルウィング形状*5をそれぞれ採用し、実装信頼性を向上しています。
新製品は、当面月産1,000万個（10機種合計）の体制で量産（サンプル価格500円/個：税抜）しています。生産拠点は、前工程がローム株式会社（滋賀工場）、後工程がローム・アポロ株式会社（福岡県）およびROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（タイ）です。
今後ロームは、車載向け中耐圧Nch MOSFETのラインアップ拡充に取り組みます。2024年10月にはDFN3333パッケージ（3.3mm×3.3mm）品やHPLF5060パッケージ（5.0mm×6.0mm）品を、2025年には80V品を順次量産する予定です。加えて、Pch品の追加も計画しています。継続的にラインアップを拡充し、車載アプリケーションの高効率動作、小型化に貢献していきます。
＜背景＞
自動車分野では、安全性や利便性の向上を背景とした電装品の増加により電子デバイスの搭載数が増加しており、かつ燃費・電費向上のためにこれらの省電力化も求められています。特に、車載アプリケーションのスイッチング用途に欠かせないMOSFETにおいては、オン抵抗を低く抑えた低損失かつ低発熱な製品の需要が高まっています。
ロームでは、これまで民生・産業機器向けに、最新の中耐圧プロセスを用いた低オン抵抗のMOSFETを提供してきました。今回、この最新プロセスを信頼性要求の高い自動車向け製品にも展開することで、低オン抵抗が特長の車載用Nch MOSFETを10機種開発しました。近年需要の高まる2.0mm×2.0mmサイズ、3.3mm×3.3mmサイズの小型パッケージ品はもちろん、従来のTO-252パッケージ品のラインアップも拡充し、今後も供給を継続していきます。
＜製品ラインアップ＞
| 品番 | データ シート |
VDSS [V] |
ID [A] |
RDS(on) [mΩ] | Qg [nC] | Ciss [pF] |
Tj Max. [℃] |
パッケージ※2 [mm] |
車載対応 AEC-Q101 |
|||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS=10V | VGS=4.5V | VGS=10V | ||||||||||
| Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | ||||||||
 RF9G120BKFRA |
 |
40 | 12 | 13.5 | 17.5 | 19.6 | 26 | 8.5 | 470 | 150 | （DFN2020Y7LSAA） [2.0×2.0×0.6]  |
YES |
| RF9L120BKFRA |
|
60 | 23 | 30 | 31 | 42 | 7.3 | 440 | ||||
| RQ3G270BKFRA |
|
40 | 27 | 7.4 | 9.6 | 10 | 13.9 | 19 | 1030 | 150 | （HSMT8AG） [3.3×3.3×0.8]  |
|
| RQ3L270BKFRA |
|
60 | 11.3 | 14.6 | 14.8 | 21 | 15 | 990 | ||||
| RQ3L270BLFRA |
|
11.3 | 14.7 | 13.8※1 | 19.3※1 | 15 | 1080 | |||||
| RQ3L120BKFRA |
|
12 | 23 | 30 | 31 | 43 | 7.3 | 440 | ||||
| RQ3P270BKFRA |
|
100 | 27 | 21 | 27 | 26 | 36 | 13.6 | 670 | |||
| RD3G08CBKHRB |
|
40 | 80 | 2.4 | 3.1 | 3.6 | 6.1 | 41 | 2570 | 175 | TO-252 （TO-252） <DPAK> [6.6×10.0×2.2]  |
|
| RD3L04BBKHRB |
|
60 | 40 | 10.4 | 13.5 | 15 | 21 | 13 | 760 | |||
| RD3P06BBKHRB |
|
100 | 59 | 12.1 | 15.8 | 15.6 | 22 | 17.3 | 1110 | |||
※1：VGS=6.0V
※2：パッケージはJEDEC表記です。（ ）内はROHMパッケージ、＜ ＞内はGENERALコードを示します。
＜アプリケーション例＞
◇車載各種モーター（ドアロック、シートポジション、パワーウインドーなど）
◇LEDヘッドライト
◇インフォテインメント、車載ディスプレイ
◇先進運転支援システム（ADAS）
＜用語説明＞
- *1) オン抵抗（Ron）
- MOSFETを動作（オン）させた時のドレイン・ソース間の抵抗値のこと。値が小さいほど、動作時のロス（電力の損失）が少なくなる。
- *2) Nch MOSFET
- ソースに対してプラスの電圧をゲートに印加すると導通状態になるタイプのMOSFET。Pch MOSFETよりもオン抵抗が小さく、幅広い回路で使い勝手が良いため、現在市場ではNch MOSFETの方が流通している。
- *3) スプリットゲート構造
- MOSFETのゲートを複数に分割し、電子の流れを効率的に調整する技術のこと。高速かつ信頼性の高い動作を実現できる。
- *4) ウェッタブルフランク形成技術
- 下面電極パッケージで、リードフレームの側面にメッキ加工を施す技術のこと。実装信頼性を向上できる。
- *5) ガルウィング形状
- 両側から外に広がるようなパッケージの端子形状のこと。放熱性に優れ、実装信頼性を向上できる。
半導体・電子部品に関するお問い合わせ：
TEL：052-332-2500
この情報は、ローム株式会社のホームページに基づいて掲載しており、最新の情報は下記URLからご確認ください。
https://www.rohm.co.jp/news-detail?news-title=2024-06-11_news_trcdrive-pack&defaultGroupId=false