電源の低消費電力化に貢献する80 V耐圧NチャネルパワーMOSFET U-MOSX-Hシリーズのラインアップ拡充

製品情報 2023-08

当社は、データセンターや通信基地局などの産業用機器向けスイッチング電源に適した最新世代プロセス^[注1]「U-MOSⅩ-Hシリーズ」を採用した、80 V耐圧NチャネルパワーMOSFETの3品種を製品化し、ラインアップを拡充しました。表面実装タイプのSOP Advance(N)パッケージで、最大ドレイン･ソース間オン抵抗が3 ｍΩの「TPH3R008QM」と、6 mΩの「TPH6R008QM」と、8.8 mΩの「TPH8R808QM」です。

新製品は、素子構造の最適化により性能指数であるドレイン･ソース間オン抵抗×電荷量特性^[注2]を低減しました。TPH3R008QMの場合、当社既存製品TPH4R008NHと比べて、ドレイン･ソース間オン抵抗×ゲート入力電荷量を約48 %低減、ドレイン･ソース間オン抵抗×ゲートスイッチ電荷量を約16 %低減、ドレイン･ソース間オン抵抗×出力電荷量を約33 %低減しました。これにより、機器の低消費電力化に貢献します。

当社は、今後も製品のラインアップの拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢献します。

• スイッチング電源 (高効率AC-DCコンバーター、高効率DC-DCコンバーターなど)
• モーター制御機器 (モータードライブなど)

• 最新世代プロセス^[注1]U-MOSX-Hシリーズ
• 低オン抵抗 :
  TPH3R008QM R_DS(ON)=3 mΩ (max) (V_GS=10 V)
  TPH6R008QM R_DS(ON)=6 mΩ (max) (V_GS=10 V)
  TPH8R808QM R_DS(ON)=8.8 mΩ (max) (V_GS=10 V)
• チャネル温度定格が高い : T_ch (max)=175 °C