ローム株式会社
＜新製品ニュース＞
5.0mm×6.0mm、3.3mm×3.3mmサイズで業界トップ※の低オン抵抗を実現した 100V耐圧のデュアルMOSFETを5機種ラインアップ 通信基地局や産業機器向けファンモーターに最適で、機器の低消費電力化、省スペース化に貢献
ローム株式会社
※2023年8月3日ローム調べ
2023年8月3日
＜要旨＞
ローム株式会社（本社：京都市）は、通信基地局や産業機器向けファンモーターの駆動に最適な、100V耐圧のMOSFET*12チップを1パッケージに同梱したデュアルMOSFETを開発。「HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）シリーズ」「HP8MEx（Nch+Pch*2）シリーズ」として、新たに5機種ラインアップしました。
新製品は、ロームの最新プロセスおよび裏面放熱パッケージを採用することで、業界トップの低オン抵抗（Ron）*3を達成しました（Nch+Nchの場合、HSOP8で19.6mΩ、HSMT8で57.0mΩ）。一般のデュアルMOSFETと比べてオン抵抗を最大56％低減しており、機器の低消費電力化に大きく貢献します。また、2つのチップを1パッケージに同梱したことで面積を削減でき、機器の省スペース化に寄与します。例えばHSOP8の場合、1チップ内蔵のシングルMOSFET（TO-252）2つから置き換えることが可能なため、面積を77％削減できます。
なお、新製品は、7月から当面月産100万個の体制で量産（サンプル価格550円/個：税抜）を開始しています。
ロームは、デュアルMOSFETにおいて、産業機器向けの耐圧ラインアップ拡充や低ノイズ品の開発を進めています。これにより、今後も幅広いアプリケーションの低消費電力化と省スペース化に寄与することで、環境保護などの社会課題解決に貢献していきます。
＜背景＞
近年、通信基地局や産業機器では、電流値を下げることによる高効率化を目的として、従来の12V / 24V系統から48V系統に電源の高圧化が進んでいます。また、これらの機器を冷却するためのファンモーターにおいても、48V系統の電源が使用されており、スイッチング用途のMOSFETには、電圧変動を考慮した100V耐圧品が要求されています。一方、耐圧を高くすると、背反関係にあるオン抵抗も高くなり効率が悪化するため、高耐圧化と低オン抵抗化の両立が課題となります。一般的に、ファンモーターでは、複数個の駆動用MOSFETが使用されていますが、省スペース化の観点から、2チップを1パッケージ化したデュアルMOSFETの採用が進んでいます。
こうした中、ロームは最新プロセスを用いてNch、PchのMOSFETチップを開発し、さらに放熱性に優れた裏面放熱パッケージを採用することで、業界トップの低オン抵抗を実現した新シリーズを開発しました。
＜製品ラインアップ＞
Nch+Nch デュアルMOSFET
| 品名 | データ シート |
極性 [ch] |
VDSS [V] |
ID[A] TC=25℃ |
PD[W] TC=25℃ |
RDS（on）[mΩ] | パッケージ [mm] |
|||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS=10V | VGS=4.5V | |||||||||
| Typ | Max. | Typ. | Max. | |||||||
 HP8KE6 |
 |
N＋N | 100 | 17 | 21 | 41 | 54 | 53 | 73 |  HSOP8 （5.0×6.0×1.0） |
| HP8KE7 |
|
24 | 26 | 15.1 | 19.6 | 18.6 | 27.8 | |||
| HT8KE5 |
|
N＋N | 100 | 7 | 13 | 148 | 193 | 200 | 300 |  HSMT8 （3.3×3.3×0.8） |
| HT8KE6 |
|
13 | 14 | 44 | 57 | 56 | 83 | |||
Nch+Pch デュアルMOSFET
| 品名 | データ シート |
極性 [ch] |
VDSS [V] |
ID[A] TC=25℃ |
PD[W] TC=25℃ |
RDS（on）[mΩ] | パッケージ [mm] |
|||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS=10V | VGS=4.5V | |||||||||
| Typ | Max. | Typ. | Max. | |||||||
| HP8ME5 |
|
N＋P | 100 | 8.5 | 20 | 148 | 193 | 200 | 300 | HSOP8 （5.0×6.0×1.0） |
| －100 | －8.0 | 210 | 273 | 233 | 303 | |||||
※40V、60V、80V、150V品を順次ラインアップしていく予定です。
＜アプリケーション例＞
・通信基地局向けファンモーター
・FA機器などの産業機器向けファンモーター
・データセンターなどのサーバー向けファンモーター
＜プリドライバICとの組み合わせにより、最適なモーター駆動ソリューションを提供＞
本製品は、豊富な採用実績を誇るロームの単相/三相ブラシレスモーター向けプリドライバICとの組み合わせにより、さらなるモーター基板の小型化、低消費電力、静音ドライブの検討が可能となります。デュアルMOSFETシリーズとプリドライバICを組み合わせた周辺回路設計のトータルサポートを行い、お客さまのニーズに応じた最適なモーター駆動ソリューションを提供します。
100V耐圧デュアルMOSFETとの組み合わせ例
■HT8KE5（Nch+Nch デュアルMOSFET）とBM64070MUV（三相ブラシレスモーター向けプリドライバIC）
■HP8KE6（Nch+Nch デュアルMOSFET）とBM64300MUV（三相ブラシレスモーター向けプリドライバIC）など
＜モーター向け新製品仕様書データダウンロードページ＞
ローム公式WEBサイトから、新商品を含む低耐圧、中高耐圧MOSFETの仕様書をダウンロードできます。
https://www.rohm.co.jp/new-product/middle-power
＜用語説明＞
- *1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistorの略）
- 金属－酸化物－半導体電界効果トランジスタのことで、FETの中では最も一般的に使用されている構造である。
スイッチング素子として使われる。 - *2) Pch MOSFET / Nch MOSFET
- Pch MOSFET：ソースに対してマイナスの電圧をゲートに印加すると導通状態になるタイプのMOSFET。入力電圧より低い電圧で駆動できるため、容易な回路構成が可能。
Nch MOSFET：ソースに対してプラスの電圧をゲートに印加すると導通状態になるタイプのMOSFET。Pch MOSFETよりもドレイン－ソース間オン抵抗が小さくなるため、定常損失を減らすことが可能。 - *3) オン抵抗（Ron）
- MOSFETを動作（オン）させた時のドレイン・ソース間の抵抗値のこと。値が小さいほど、動作時のロス（電力の損失）が少なくなる。
＜新製品プレゼン"Featured Products"＞
通信基地局や産業機器向けファンモータ駆動に最適
業界トップクラスの低オン抵抗を実現した
100V耐圧 デュアルMOSFET（PDF:1.5MB）
TEL：052-332-2500
この情報は、ローム株式会社のホームページに基づいて掲載しており、最新の情報は下記URLからご確認ください。
https://www.rohm.co.jp/news-detail?news-title=2023-08-03_news_mosfet&defaultGroupId=false