東芝デバイス&ストレージ株式会社
<新製品ニュース>

高電圧変換装置の小型化/高出力化に貢献する4500 V/1000 A圧接型IEGT

東芝デバイス&ストレージ株式会社

製品情報 2024-04

これは、高電圧変換装置の小型化/高出力化に貢献する4500 V/1000 A圧接型IEGTの製品写真です。当社は、直流送電システム、産業用モータードライブ装置などの高電圧変換装置用に開発した4500 V/1000 A定格の圧接型IEGT[注1]「ST1000GXH35」を製品化しました。
新製品ST1000GXH35は、トレンチ型IEGT チップと高速ダイオードチップを搭載しています。
IEGTチップは、コレクター・エミッター間飽和電圧低減、遮断耐量向上、短絡耐量向上、および高温対応を実現しています。これにより、従来製品ST750GXH24と比べて、コレクター・エミッター間飽和電圧 (VCE(sat)) [注2]が標準3.00 Vから2.15 Vへ約28 %低減しました。
高速ダイオードチップは、逆回復時の電圧振動抑制、逆回復耐量向上、高温対応を実現しています。これにより、従来製品と比べて、ターンオンスピードを上げて使用できるため、ターンオンスイッチング損失 (Eon)[注3][注4]が標準4.15 Jから2.75 Jへ約34 %低減しました。
また、高電圧を必要とするアプリケーションに対応し、遮断試験、短絡試験の試験電圧を3400 V[注5]に強化しました。さらに、高温対応が可能になったことで、接合温度が最大125 °Cから150 °Cに向上しました。
ST1000GXH35は、直流送電システム、静止型無効電力補償装置、産業用モータードライブ装置などの高電圧変換装置の小型化、高出力化に貢献します。

[注1] IEGT:Injection Enhanced Gate Transistor(電子注入促進型絶縁ゲートトランジスター)の略
[注2] VCE(sat)測定条件:VGE=15 V、IC=750 A、Tj=125 °C
[注3] 従来製品 ST750GXH24のEon測定条件:VCC=2800 V、IC=750 A、RG(on)=10 Ω、LS≈300 nH、Tj=125 °C
[注4] 新製品ST1000GXH35のEon測定条件:VCC=2800 V、IC=750 A、RG(on)=5.6 Ω、LS≈300 nH、Tj=125 °C
[注5] 従来製品ST750GXH24の遮断試験電圧は2700 V、短絡試験電圧は3000 V 


応用機器

  • 直流送電システム
  • 静止型無効電力補償装置
  • 産業用モータードライブ装置


新製品の主な特長

  • 低コレクター・エミッター間飽和電圧、かつ低ターンオンスイッチング損失
  • 遮断試験、短絡試験の試験電圧3400 Vに強化
  • 最大接合温度定格:Tj(max)=150 °C


新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、TC=25 °C)

品番 ST1000GXH35
パッケージ 2-120B1S
絶対最大定格 コレクター・エミッター間電圧  VCES  (V) 4500
ゲート・エミッター間電圧  VGES  (V) ±20
コレクター電流 (DC)  I (A) Tf=108 °C 1000
ダイオード順電流 (DC)  I (A) Tf=15 °C 1000
接合温度  Tj  (°C) -40~150
電気的特性 コレクター・エミッター間飽和電圧
VCE(sat)  (V)
VGE =15 V、IC =1000 A、
Tj=150 °C
Typ. 2.50
順電圧  VF  (V) IF=1000 A、Tj=150 °C Typ. 3.10
ターンオンスイッチング損失
Eon  (J)
VCC=2800 V、IC=1000 A、
RG(on)=5.6 Ω、Ls≃300 nH、
Tj=150 °C
Typ. 3.75
ターンオフスイッチング損失
Eoff  (J)
VCC=2800 V、IC=1000 A、
RG(off)=91 Ω、Ls≃300 nH、
Tj=150 °C
Typ. 5.25
逆回復損失  
Err  (J)
VCC=2800 V、IF=1000 A、
RG(on)=5.6 Ω、Ls≃300 nH、
Tj=150 °C
Typ. 1.70
短絡耐量(パルス幅)  
tPSC  (μs)
VCC=3400 V、VGE=±15 V、
RG(on)=5.6 Ω、RG(off)=91 Ω、
Ls≃150 nH、Tj=125 °C
Max 10


内部回路構成図

これは、高電圧変換装置の小型化/高出力化に貢献する4500 V/1000 A圧接型IEGTの内部回路構成図です。


応用回路例

これは、高電圧変換装置の小型化/高出力化に貢献する4500 V/1000 A圧接型IEGTの応用回路例です。
これは、高電圧変換装置の小型化/高出力化に貢献する4500 V/1000 A圧接型IEGT の応用回路例です。

注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

* 社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
* 本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。


半導体・電子部品に関するお問い合わせ:

  TEL:052-332-2500


この情報は、東芝デバイス&ストレージ株式会社のホームページに基づいて掲載しており、最新の情報は下記URLからご確認ください。

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/news/new-products-share/igbt-iegt/igbt-iegt-20240424-1d.html