東芝デバイス＆ストレージ株式会社
＜新製品ニュース＞
産業用機器の高効率化に貢献する第3世代650V耐圧SiC ショットキーバリアダイオードの発売について
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
2023年7月13日
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
当社は、産業用機器向けに最新[注1]の第3世代シリコンカーバイド (SiC) ショットキーバリアダイオード (SBD) 「TRSxxx65Hシリーズ」を発売しました。第3世代SiC SBDの第一弾として、650V耐圧のTO-220-2Lパッケージ品7種およびDFN8×8パッケージ品5種、全12製品の出荷を本日から開始します。
新製品は、新規のショットキーメタルを採用し、第2世代製品のジャンクションバリアショットキー (JBS) 構造[注2]を最適化した第3世代SiC SBDチップを搭載しています。これにより、第3世代製品では、業界トップクラス[注3]の低い順方向電圧1.2V (Typ.) を実現し、第2世代製品の順方向電圧1.45V (Typ.) と比べて約17％低減しました。また、第2世代製品と比べて、順方向電圧と総電荷量のトレードオフおよび順方向電圧と逆電流のトレードオフを改善しています。これにより、損失を低減し、機器の高効率化に貢献します。
[注1] 2023年7月現在、当社最新。
[注2] JBS構造：ショットキー界面の電界が下がり、リーク電流を低減できる構造。
[注3] 2023年7月現在、当社調べ。
応用機器
- スイッチング電源
- EV充電スタンド
- 太陽光発電用インバーター
新製品の主な特長
- 業界トップクラス[注3]の低い順方向電圧：VF＝1.2V (Typ.) (IF=IF(DC))
- 低い逆電流：
TRS6E65Hの場合 IR＝1.1μA (Typ.) (VR=650V) - 低い総電荷量：
TRS6E65Hの場合 QC＝17nC (Typ.) (VR=400V、f=1MHz)
新製品の主な仕様
（特に指定のない限り、Ta=25°C）
| 品番 | パッケージ | 絶対最大定格 | 電気的特性 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 繰り返しピーク 逆電圧 VRRM (V) |
直流順電流 IF(DC) (A) |
非繰り返しピーク順電流 IFSM (A) |
順電圧 (パルス測定) VF (V) |
逆電流 (パルス測定) IR (μA) |
端子間容量 Ct (pF) |
総電 荷量 QC (nC) |
||||
| 温度条件 Tc (°C) |
f=50Hz (正弦半波、t=10ms) 、 Tc=25°C |
矩形波、 t=10μs、 Tc=25°C |
IF=IF(DC) | VR=650V | VR=400V、f=1MHz | |||||
| Typ. | Typ. | Typ. | Typ. | |||||||
| TRS2E65H | TO-220-2L | 650 | 2 | 164 | 19 | 120 | 1.2 | 0.2 | 10 | 6.5 |
| TRS3E65H | 3 | 161 | 28 | 170 | 0.4 | 14 | 9 | |||
| TRS4E65H | 4 | 158 | 36 | 230 | 0.6 | 17 | 12 | |||
| TRS6E65H | 6 | 153 | 41 | 310 | 1.1 | 24 | 17 | |||
| TRS8E65H | 8 | 149 | 56 | 410 | 1.5 | 31 | 22 | |||
| TRS10E65H | 10 | 148 | 62 | 510 | 2.0 | 38 | 27 | |||
| TRS12E65H | 12 | 148 | 74 | 640 | 2.4 | 46 | 33 | |||
| TRS4V65H | DFN8×8 | 4 | 155 | 28 | 230 | 0.6 | 17 | 12 | ||
| TRS6V65H | 6 | 151 | 41 | 310 | 1.1 | 24 | 17 | |||
| TRS8V65H | 8 | 148 | 45 | 410 | 1.5 | 31 | 22 | |||
| TRS10V65H | 10 | 145 | 54 | 510 | 2.0 | 38 | 27 | |||
| TRS12V65H | 12 | 142 | 60 | 640 | 2.4 | 46 | 33 | |||
当社のSiCショットキーバリアダイオード製品の詳細については下記ページをご覧ください。
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パワーデバイス営業推進部
Tel: 044-548-2216
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