電源の高効率化に貢献する新世代プロセスを採用した150 V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充

製品情報 2023-02

当社は、通信機器などの産業用機器のスイッチング電源に適した新世代プロセス「U-MOSⅩ-Hシリーズ」を採用した150 V耐圧NチャネルパワーMOSFETに新たな２品種を追加し、ラインアップを拡充しました。表面実装タイプパッケージで、ドレイン･ソース間オン抵抗 (max)が14.1 ｍΩの「TPH1400CQH」と48 mΩの「TPN4800CQH」です。

新製品は、既存世代プロセスU-MOSVIII-Hシリーズの150 V耐圧製品と比べてドレイン·ソース間オン抵抗を低減しました。
また、素子構造の最適化により、ドレイン･ソース間オン抵抗と出力電荷量のトレードオフを改善^[注１]し、業界トップクラス^[注2]の低損失を実現しました。さらに、スイッチング時にドレイン･ソース間に発生するスパイク電圧を低減し、スイッチング電源の低EMI化に貢献します。

• 通信機器用電源
• スイッチング電源 (高効率DC-DCコンバーターなど)

• 業界トップクラス^[注２]の低損失を実現 (オン抵抗と出力電荷量のトレードオフを改善)
• 低オン抵抗 :
  TPH1400CQH R_DS(ON)=14.1 mΩ (max) (V_GS=10 V)
  TPN4800CQH R_DS(ON)=48 mΩ (max) (V_GS=10 V)
• チャネル温度定格が高い : T_ch (max)=175 °C