東芝デバイス＆ストレージ株式会社
＜新製品ニュース＞
電源の低消費電力化に貢献する150 V耐圧NチャネルパワーMOSFET U-MOSX-Hシリーズのラインアップ拡充
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
製品情報 2024-04
当社は、データセンターや通信基地局などの産業用機器向けスイッチング電源に適した新世代プロセス「U-MOSⅩ-Hシリーズ」を採用した、150 V耐圧NチャネルパワーMOSFETの2品種を製品化し、ラインアップを拡充しました。表面実装タイ
プのSOP Advance(N)パッケージに封止された、最大ドレイン･ソース間オン抵抗が11.1 mΩの「TPH1100CQ5」と、14.1 mΩの「TPH1400CQ5」です。
新製品TPH1100CQ5とTPH1400CQ5は、同期整流用途で重要な逆回復[注1]特性を向上させました。TPH1400CQ5では、当社既存製品TPH1400CQH[注2]と比べて逆回復電荷量を約73 %低減、逆回復時間を約45 %速くしました。これにより、同期整流用途で使用した場合[注3]、スイッチング電源の損失を低減し、高効率化に貢献します。
新製品は、MOSFETのスイッチング時にドレイン・ソース間に発生するドレイン・ソース間スパイク電圧も低減[注4]しており、スイッチング電源の低EMI化に貢献します。
当社は、今後も製品のラインアップ拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢献します。
[注1] MOSFETのボディーダイオードが順方向から逆方向バイアスに切り替わるスイッチング動作
[注2] TPH1400CQ5の同世代プロセス、同耐圧、同オン抵抗製品
[注3] 逆回復動作を行わない回路で使用した場合、TPH1400CQHと同等の損失となります。
[注4] 逆回復動作を行う回路で使用した場合
応用機器
- スイッチング電源 (高効率AC-DCコンバーター、高効率DC-DCコンバーターなど)
- モーター制御機器 (モータードライブなど)
新製品の主な特長
- 低い逆回復電荷量 :
TPH1100CQ5 Qrr=32 nC (typ.) (－dIDR/dt=100 A/μs)
TPH1400CQ5 Qrr=27 nC (typ.) (－dIDR/dt=100 A/μs) - 速い逆回復時間 :
TPH1100CQ5 trr=38 ns (typ.) (－dIDR/dt=100 A/μs)
TPH1400CQ5 trr=36 ns (typ.) (－dIDR/dt=100 A/μs) - チャネル温度定格が高い : Tch (max)=175 °C
新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、Ta=25 °C)
| 品番 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 絶対最大定格 | ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) |
150 |
|||
| ドレイン電流 (DC) ID (A) | Tc=25 °C |
49 |
32 |
||
| チャネル温度 Tch (°C) |
175 |
||||
| 電気的特性 | ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) (mΩ) | VGS=10 V | Max |
11.1 |
14.1 |
| VGS=8 V | Max |
13.6 |
17.3 |
||
| ゲート入力電荷量 Qg (nC) | Typ. |
38 |
31 |
||
| 入力容量 Ciss (pF) | Typ. |
2830 |
2400 |
||
| ゲート抵抗 rg (Ω) | Typ. |
1.5 |
1.2 |
||
| 逆回復時間 trr (ns) | －dIDR/dt= 100 A/μs |
Typ. |
38 |
36 |
|
| 逆回復電荷量 Qrr (nC) | Typ. |
32 |
27 |
||
| パッケージ |
SOP Advance(N) |
||||
内部回路構成図
応用回路例
注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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