産業用機器の高効率化・小型化に貢献する1200 V耐圧SiC MOSFETモジュールのラインアップ拡充

製品情報 2024-06

当社は産業用機器向けに第3世代のシリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを搭載した1200 V耐圧、ドレイン電流 (DC) 定格 400 A のSiC MOSFETモジュール「MG400Q2YMS3」を製品化し、ラインアップを拡充しました。

新製品MG400Q2YMS3は、ドレイン・ソース間オン電圧 (センス端子) を0.9 V (typ.)^[注1]とし、低導通損失を実現しました。また、ターンオンスイッチング損失とターンオフスイッチング損失をともに13 mJ (typ.)^[注2]にすることで、低スイッチング損失を実現しました。これにより、機器の損失低減と冷却装置の小型化に貢献します。
MG400Q2YMS3は、寄生インダクタンスが12 nH (typ.) と低いため、高速スイッチング動作が可能で、さらにスイッチング時のサージ電圧も抑制されます。これにより、高周波絶縁DC-DCコンバーターに使用できます。

2-153A1Aパッケージの当社SiC MOSFETモジュールは、新製品を含め、既存製品MG250YD2YMS3 (2200 V耐圧 / 250 A)、MG400V2YMS3 (1700 V耐圧 / 400 A)、MG250V2YMS3 (1700 V耐圧 / 250 A)、MG600Q2YMS3 (1200 V耐圧 / 600 A)の5製品のラインアップとなります。これにより、製品選択の幅が広がりました。

当社は、産業用機器の高効率化、小型化のニーズに対応していきます。

• 鉄道車両向け補助電源
• 再生可能エネルギー発電システム
• 産業用モーター制御機器
• 高周波絶縁DC-DCコンバーターなど

• ドレイン・ソース間オン電圧 (センス端子) が低い :
  V_DS(on)sense=0.9 V (typ.) (I_D=400 A、V_GS=+20 V、T_ch=25 °C)
• ターンオンスイッチング損失が低い :
  E_on=13 mJ (typ.) (V_DD=600 V、I_D=400 A、T_ch=150 °C)
• ターンオフスイッチング損失が低い :
  E_off=13 mJ (typ.) (V_DD=600 V、I_D=400 A、T_ch=150 °C)
• 寄生インダクタンスが低い :
  L_sPN=12 nH (typ.)