ローム株式会社
<新製品ニュース>
照明電源やポンプ、モーターなどの小型化・低背化に貢献! 小型SOT-223-3パッケージの600V耐圧Super Junction MOSFETを開発 低ノイズや高速スイッチング、高速逆回復時間の特長を持つ5機種ラインアップ
ローム株式会社
2023年11月30日
<要旨>
ローム株式会社(本社:京都市)は、照明の小型電源やポンプ、モーターなどに最適で、小型SOT-223-3パッケージ(6.50mm×7.00mm×1.66mm)の600V耐圧Super Junction MOSFET*1「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」の5機種を開発しました。
新製品は、従来のTO-252パッケージ(6.60mm×10.00mm×2.30mm)と比較して面積を約31%、厚さを約27%削減でき、アプリケーションの小型化・低背化に貢献します。また、TO-252パッケージの基板上の配線パターン(ランドパターン)を使用できるため、既存の回路基板をそのまま使用することも可能です。
新製品の5機種は、小型電源向け、モーター向けがあり、それぞれ異なる特長を持っています。小型電源向けは3機種あり、低ノイズが特長の「R6004END4」はノイズ対策が必要な用途に、高速スイッチングが特長の「R6003KND4」及び「R6006KND4」は低損失かつ高効率な動作が必要なアプリケーションにそれぞれ最適です。「R6002JND4」及び「R6003JND4」は、独自技術を用いて逆回復時間(trr*2)を高速化しスイッチング損失の大幅な低減を実現した"PrestoMOS(プレストモス)"で、モーター向けに最適です。
さらに各製品とも、ローム公式Webサイト上で回路設計に必要なアプリケーションノートや各種技術資料、シミュレーション用のSPICEモデルなどを無償公開しており、素早い市場導入をサポートします。
新製品は、11月より当面月産10万個の体制で量産(サンプル価格400円/個:税抜)を開始しています。
今後、ロームはSuper Junction MOSFETのラインアップ拡充として、さらなるパッケージの展開及び低オン抵抗化を進め、各種機器の低消費電力化に寄与することで、環境保護などの社会課題解決に貢献していきます。
<背景>
近年、照明の小型電源やポンプのモーターでは高機能化に伴う小型化が求められており、これらアプリケーションのスイッチング用途に欠かせないMOSFETも、小型製品の需要が高まっています。
Super Junction MOSFETは一般的に、高耐圧かつ低オン抵抗特性の最適なバランスを維持したまま小型化することは困難でした。ロームは今回、搭載チップの形状を見直すことで、従来品の性能を損なうことなく小型化・低背化したSOT-223-3パッケージの5機種を開発しました。
<製品ラインアップ>
小型電源向け
品番 | データ シート |
極性 [ch] |
VDSS [V] |
ID [A] |
RDS(on) [Ω] *VGS=10V |
Qg [nC] *VGS=10V |
パッケージ [mm] |
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Typ. | Max. | Typ. | ||||||
R6004END4 | N | 600 | 2.4 | 0.90 | 0.98 | 15 | SOT-223-3 (6.50×7.00×1.66) |
|
R6003KND4 | 1.3 | 1.30 | 1.50 | 8 | ||||
R6006KND4 | 2.8 | 0.72 | 0.87 | 12 |
モーター向け
<アプリケーション例>
・R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4:照明、エアコン、冷蔵庫など
・R6002JND4 / R6003JND4:ポンプ、ファンモーター、複写機などのモーター
<Super Junction MOSFET特設ページ>
ロームの公式Webサイトでは、SOT-223-3パッケージに関するアプリケーションノートをはじめ、各種回路設計に必要な資料を公開しています。
https://www.rohm.co.jp/support/super-junction-mosfet
<PrestoMOSとは>
<用語説明>
- *1) Super Junction MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)
- MOSFETはトランジスタの種類を指し、Planar MOSFET、Super Junction MOSFETなど、デバイス構造の違いにより細分化される。Super Junction MOSFETは、Planar MOSFETと比べ高耐圧と低オン抵抗を両立し、大電力を扱う際の損失が少ない。
- *2) trr:逆回復時間(Reverse Recovery Time)
- 内蔵ダイオードがオン状態から完全なオフ状態になるまでにかかる時間のこと。値が小さいほどスイッチング時の損失が少なくなる。
<新製品プレゼン"Featured Products">
小型SOT-223-3パッケージ採用
600V耐圧 SJ MOSFET
R600xEND4/R600xKND4/R600xJND4 シリーズ(PDF:1.5MB)
TEL:052-332-2500
この情報は、ローム株式会社のホームページに基づいて掲載しており、最新の情報は下記URLからご確認ください。
https://www.rohm.co.jp/news-detail?news-title=2023-11-30_news_sjmos&defaultGroupId=false