ローム株式会社
＜新製品ニュース＞
業界トップクラス※の低オン抵抗でアプリケーションの高効率動作に貢献する Nch MOSFET開発 産業機器用電源や各種モーター駆動に最適な40V～150V耐圧の13製品をラインアップ
ローム株式会社
※2023年4月13日現在ローム調べ
2023年4月13日
＜要旨＞
ローム株式会社（本社：京都市）は、基地局・サーバー用電源や、産業機器・民生機器用モーターなど、24V/36V/48V系統の電源で動作するアプリケーションの駆動に最適な、Nch MOSFET*1「RS6xxxxBx / RH6xxxxBxシリーズ」13製品（40V/60V/80V/100V/150V）を開発しました。
新製品は、プロセスの微細化による素子性能の向上に加えて、抵抗の低い銅クリップ接続のHSOP8/HSMT8パッケージを採用したことにより、従来品より約50％低い業界トップクラスのオン抵抗（Ron）*2 2.1mΩを達成しています。また、ゲート構造の改善により、一般的にオン抵抗とトレードオフの関係になるQgd*3（ゲート・ドレイン間電荷量）も従来品比で約40％低減（Ron・Qgdともに、HSOP8パッケージ、60V耐圧品のTyp.値で比較）。これにより、スイッチング損失及び導通損失を低減できるため、各アプリケーションの高効率動作に大きく貢献します。高効率動作の一例として、産業機器向け電源評価基板で電源効率を比較した場合、定常動作時の出力電流範囲において、新製品は業界トップクラス※の電源効率（ピーク時約95％）を達成しています。
新製品は、2023年1月より当面月産100万個の体制で量産（サンプル価格500円/個：税抜）を開始しています。
今後もロームは、さらに低オン抵抗のMOSFETを開発中であり、各種機器の低消費電力化に寄与することで、省エネ化による環境保護などの社会課題解決に貢献していきます。
＜背景＞
近年、世界的に電力消費量が増大し、電力の有効活用を迫られる中、基地局、サーバーなどの産業機器や、各種モーターにおいても、高効率化が進んでいます。そして、これらのアプリケーションにおいて、中耐圧のMOSFETは、さまざまな回路で使用されており、メーカーから低損失化が求められています。一方、MOSFETの電力損失に繋がる主要なパラメータとしては、オン抵抗とQgdの2つがありますが、一般的なMOSFETでは、チップサイズに対して、オン抵抗は反比例して小さく、Qgdは比例して大きくなるため、両立が困難です。これに対してロームは、プロセスの微細化と銅クリップ接続の採用、ゲート構造の改善により、両者のトレードオフを改善しました。
＜製品ラインアップ＞
| 品番 | データ シート |
VDSS [V] |
ID[A] TC=25℃ |
RDS(on)[mΩ] | Qg[nC] | Qgd [nC] |
パッケージ名 [mm] |
|||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS=10V | VGS=10V | VGS=6V | VGS=4.5V | |||||||
| Typ. | Max. | Typ. | Typ. | Typ. | Typ. | |||||
 RS6G120BG |
 |
40 | 120 | 1.03 | 1.34 | 67 | - | 34 | 12 |  HSOP8 （5.0×6.0×1.0） |
| RS6G100BG |
|
100 | 2.6 | 3.4 | 24 | - | 11.8 | 4.3 | ||
| RS6L120BG |
|
60 | 120 | 2.1 | 2.7 | 51 | - | 25 | 7.3 | |
| RS6L090BG |
|
90 | 3.6 | 4.7 | 28 | - | 14 | 4.1 | ||
| RS6N120BH |
|
80 | 120 | 2.8 | 3.3 | 53 | 33 | - | 10.1 | |
| RS6P100BH |
|
100 | 100 | 4.5 | 5.9 | 45 | 29 | - | 11.7 | |
| RS6P060BH |
|
60 | 8.2 | 10.6 | 25 | 16.2 | - | 6.3 | ||
| RS6R060BH |
|
150 | 16.7 | 21.8 | 46 | 30 | - | 12 | ||
| RS6R035BH |
|
35 | 32 | 41 | 25 | 16.2 | - | 6.4 | ||
| RH6G040BG |
|
40 | 40 | 2.8 | 3.6 | 25 | - | 11.8 | 4.5 |  HSMT8 （3.3×3.3×0.8） |
| RH6L040BG |
|
60 | 5.5 | 7.1 | 18.8 | - | 9.2 | 2.7 | ||
| RH6P040BH |
|
100 | 12 | 15.6 | 16.7 | 10.9 | - | 4.4 | ||
| RH6R025BH |
|
150 | 25 | 46 | 59 | 16.7 | 11 | - | 4.4 | |
＜アプリケーション例＞
- ◇通信基地局やサーバー用電源
- ◇産業用・民生用モーター
その他、幅広い機器の電源回路やモータドライブに採用可能です。
＜用語説明＞
- *1) Nch MOSFET
- ソースに対してプラスの電圧をゲートに印加すると導通状態になるタイプのMOSFET。
Pch MOSFETよりもオン抵抗が小さく、幅広い回路で使い勝手が良いため、現在市場ではNch MOSFETの方が流通している。 - *2) オン抵抗（Ron）
- MOSFETオン時のドレイン・ソース間の抵抗値のこと。値が小さいほど導通時の電力損失が少なくなる。
- *3) Qgd（ゲート・ドレイン間電荷量）
- MOSFETがオンしはじめた後、ゲート・ドレイン間の容量を充電する期間の電荷量。値が小さいほど高速スイッチングが可能になり、スイッチング時のロス（電力の損失）が少なくなる。
＜製品動画＞
＜新製品プレゼン"Featured Products"＞
基地局・サーバー用電源や産業・民生用モータ駆動に最適
低オン抵抗 Nch Power MOSFET (Cuクリップタイプ）
RS6xxxxシリーズ/RH6xxxxシリーズ（PDF:1.3MB）
TEL：052-332-2500
この情報は、ローム株式会社のホームページに基づいて掲載しており、最新の情報は下記URLからご確認ください。
https://www.rohm.co.jp/news-detail?news-title=2023-04-13_news_mosfet&defaultGroupId=false