東芝デバイス＆ストレージ 150V耐圧NチャネルパワーMOSFET

東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、データセンターや通信基地局向けのスイッチング電源に適した新世代プロセス「U-MOSⅩ-Hシリーズ」の150V耐圧NチャネルパワーMOSFETを6品種発表しました。これにより、オン抵抗の低減や逆回復特性の向上が実現され、スイッチング電源の高効率化に貢献します。（ミタチ産業要約）

製品情報　2024-10

当社は、データセンターや通信基地局などの産業用機器向けスイッチング電源に適した新世代プロセス「U-MOSⅩ-Hシリーズ」の150V耐圧NチャネルパワーMOSFETとして6品種を製品化し、ラインアップを拡充しました。3ピンのリード挿入タイプのパッケージを採用したTO-220の「TK4R9E15Q5、TK7R2E15Q5、TK9R6E15Q5」とTO-220SISの「TK5R0A15Q5、TK7R4A15Q5、TK9R7A15Q5」です。

新製品は、U-MOSⅩ-Hプロセスを採用することで、ドレイン・ソース間オン抵抗を低減しています。特に、TK4R9E15Q5は業界トップクラス^[注1]の低いドレイン·ソース間オン抵抗4.9mΩ (max) を実現しました。さらに、ハイスピード・ダイオード (HSD) による逆回復電荷量の低減、および逆回復時間を速くすることで同期整流用途に重要な逆回復特性^[注2]を向上させました。これにより、同期整流用途で使用した場合、スイッチング電源の損失を低減し、高効率化に貢献します。
HSDを採用した先頭製品TPH9R00CQ5^[注3]では、HSDを採用していない当社既存製品TPH9R00CQH^[注3]と比べて逆回復電荷量が約74%低減、逆回復時間が約44%速くなります。このU-MOSⅩ-HプロセスのHSDを、表面実装タイプに加えてリード挿入タイプのパッケージにも展開しました。
新製品は、MOSFETのスイッチング時にドレイン・ソース間に発生するドレイン・ソース間スパイク電圧も低減^[注4]しており、スイッチング電源の低EMI化に貢献します。

当社は、今後も電源の高効率化に貢献するパワーMOSFETのラインアップ拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢献します。

• 通信機器などのスイッチング電源 (高効率AC-DCコンバーター、高効率DC-DCコンバーターなど)
• モーター制御機器 (モータードライブなど)

• 業界トップクラス^[注1]の低いオン抵抗 :
  TK4R9E15Q5 R_DS(ON)=4.9mΩ (max) (V_GS=10V)
• 低い逆回復電荷量 :
  TK9R6E15Q5 Q_rr=32nC (typ.) (-dI_DR/dt=100A/μs)
• 速い逆回復時間 :
  TK9R6E15Q5 t_rr=40ns (typ.) (-dI_DR/dt=100A/μs)