SiCショットキーバリアダイオード
- トップページ
- 取扱商品別メーカー紹介
- SiCショットキーバリアダイオード
SiCショットキーバリアダイオード
SiCショットキーバリアダイオードは、シリコンカーバイド（SiC)を用いて作ったショットキ―バリアダイオードです。高速性がありながら高耐圧であり、損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に使用されます。
-
650V および 1200V のSiCショットキー ダイオードをラインナップし、さまざまなアプリケーション向けの電力変換回路を設計するエンジニアに理想的なソリューションを提供します。
-
650V耐圧、定格電流2A～10Aのシリコンカーバイドショットキーバリアダイオード (SiC SBD) をラインアップしています。
-
SiCデバイスは熱伝導率が高い材料により、高温でも良好な特性を維持することができます。
また、「高耐圧」「低オン抵抗」「高速性」を兼ね備え、回路設計全体の性能を向上できます。
-
ロームは優れたサージ電流耐性を備えながら、第2世代SBDの優れたVF特性をさらに低減する第3世代SiC SBD、SCS3シリーズを生産しています。
